对于一位开关工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管大反峰，又要RCD吸收回路功耗小)

　　在讨论前我们先做几个假设：

　　①开关的工作频率范围:20~200KHZ;

　　②RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒);

　　③在调整RCD回路前主沙雅沙雅油浸式变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

　　有了以上几个假设我们就可以先进行计算：

　　一?首先对MOS管的VD进行分段：

　　ⅰ，输入的直流电压VDC;

　　ⅱ，次级反射初级的VOR;

　　ⅲ，主MOS管VD余量VDS;

　　ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

　　二?对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：

　　ⅰ，输入的直流电压VDC。

　　在计算VDC时，是依高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

　　VDC=VAC*√2

　　ⅱ，次级反射初级的VOR。

　　VOR是依在次级输出高电压,整流二极管压降大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%(依Vo=5.25V计算)，二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值).

　　VOR=(VFVo)*Np/Ns

　　ⅲ，主MOS管VD的余量VDS.

　　VDS是依MOS管VD的10%为小值.如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V.

　　VDC=VD*10%

　　ⅳ，RCD吸收VRCD.

　　MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的大值。实际选取的VRCD应为大值的90%(这里主要是考虑到开关各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响)。

　　VRCD=(VD-VDC-VDS)*90%

　　注意：①VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合.

　　②VRCD必须大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了)

　　③MOS管VD应当小于VDC的2倍.(如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了)

　　④如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响效率。

　　⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的

　　ⅴ，RC时间常数τ确定.

　　τ是依开关工作频率而定的，一般选择10~20个开关周期。

　　三?试验调整VRCD值

　　首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15,C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。(RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上)。一个合适的RC值应当在高输入电压，重的负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。

　　四?试验中值得注意的现象

　　输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和(三)的内容相矛盾哪?一点都不矛盾，理论值是在高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关可能达到的大负载。主要是通过试验测得开关的极限功率。

　　五?RCD吸收电路中R值的功率选择

　　R的功率选择是依实测VRCD的大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。